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SiC Trench MOSFET 是碳化硅功率器件的重要类型,采用沟槽栅结构。
本文介绍 SiC 功率元器件的基础知识,包括材料特性、器件类型和应用。
本文整理了 SiC 功率器件和模块的应用笔记。
氮化镓(GaN)是另一种重要的第三代半导体材料。
氧化镓作为超宽禁带半导体材料,近年来受到广泛关注。
SiC 材料具有优异的物理和电学特性。