半导体

SiC 超级结（Super Junction）工艺技术全解析

概述

SiC（碳化硅）超级结技术是当前功率半导体领域的重要发展方向。

超级结结构原理

超级结（Super Junction）结构通过交替排列的 P 型和 N 型柱状结构，实现了突破硅材料极限的导通电阻。

工艺技术要点

1. 外延生长技术

SiC 外延生长是超级结制造的核心工艺。

2. 刻蚀工艺

深槽刻蚀是形成柱状结构的关键步骤。

应用前景

SiC 超级结器件在新能源汽车、光伏逆变器等领域有广阔应用前景。